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JESD22-A102封装IC(芯片)无偏压高压蒸煮试验

本测试方法主要用于耐湿性评估和强健性测试。样品放置于一个高压、高湿环境下,在压力下湿气进入封装,使弱点暴露,如分层、金属腐蚀。本测试用于评估新封装或封装材料变更(塑封料、芯片钝化层)或设计变更(如芯片、触点尺寸)。但本试验不应用于基于封装的层压板或胶带,如FR4材料、聚酰亚胺胶带等。
运行本试验和评估试验结果须考虑一些注意事项。失效机制,内部和外部的,可能产生于不符合预期使用条件。大多半导体元件在应用时不会超过95%湿度,包括压缩湿气如下雨或雾。高温高湿和高压的综合可能产生非现实的材料失效因为吸湿对大多数塑料材料会降低玻璃化温度。高压蒸煮试验结果推断应小心。
无偏高压蒸煮试验的目的在于用压缩湿气或饱和湿气环境下,评估非气密性封装固态元件的抗湿性。这是一个采用压力、湿度、湿度条件的高加速试验,在高压条件下加速湿气渗透到外外部保护物料(塑封料或丝印)或沿外保护物料与金属导电层之间界面渗入。本测试用于识别封装内部的失效机制,并且是破坏性的。

2、设备

本测试要求一个可维持规定温度和湿度的PCT高压蒸煮试验箱
2.1记录
建议每个测试循环有一套温度曲线记录,以便验证应力条件。
2.2应力仪器
应力仪器不近于内部箱表面3cm,不能直接受热。
2.3离子污染
测试工件不应受到离子污染。
2.4蒸馏水或去离子水
最小1M.cm电阻

3、测试条件

测试条件包括温度、湿度、蒸气压和时间


JESD22-A102封装IC(芯片)无偏压高压蒸煮试验

注1公差应用于整个可用的试验区域。
注2试验条件应持续施加,除去中间读数点。对中间读数点,器件件应在5.2规定时间内返回加压。
注3本文件之前的版本规定以下试验条件。
条件A:24hrs(-0,+2)
条件B:48hrs(-0,+2)
条件C:96hrs(-0,+5)
条件D:168hrs(-0,+5)
条件E:240hrs(-0,+8)
条件F:336hrs(-0,+8)
试验时间由内部鉴定要求、JESD47或适用的程序文件规定。典型为96小时。
注意:对塑封微电路,湿气会降低塑封料的有效的玻璃化温度。在有效的玻璃化温度之.上的应力温度可能导致与操作使用相关的失效机理。

4、程序

受试器件应以一定方式固定,暴露在规定的温度、湿度条件下。应避免元件置于100℃以上和小于10%R.H.湿度的环境中,特别是上升、下降和先期测量干燥期间。上升和下降时间应分别小于3小时。在设备控制和冷却程序时要特别小心防止受试器件受到破坏性的降压。确保减少污染,经常清洁试验腔体。
4.1试验周期
温度和相对湿度达到第4条规定的设定点启动试验计时,并在下降开始点停止计时。
4.2测试
电测试应在下降结束降到室温不早于2小时,不超过48小时内进行。对于中间测量,在下降阶段结束后96小时内器件恢复应力。器件从高压蒸煮试验箱移出后,可以通过把器件放入密封的潮湿袋(无干燥剂)中来减小器件的潮气释放速率。当器件放入密封袋时,测试时间计时以器件暴露于实验室环境中潮气释放速率的1/3来计算。这样通过把器件装入潮气密封袋中测试时间可延长到144小时,压力恢复时间也延长到288小时。
4.3处理
应使用消除任何来源的附带污染或静电放电损坏的手环,处理器件和测试夹具。在本试验和任何高加速湿气应力试验中,污染控制是重要的。

5、失效判据

如果试验后,器件参数超过极限值,或按适用的采购文件和数据表中规定的正常和极限环境中不能验证其功能时,器件视为失效。由于外部封装损伤造成的电失效不作为失效标准考虑范围。

6、安全性

遵守设备生产厂家建议和当地安全法规。

7、说明

有关的采购文件中应规定如下内容:
a)试验持续时间
b)试验后测量

8、瑞凯PCT高压蒸煮试验箱产品介绍

8.1设备介绍


PCT高压蒸煮试验箱是利用高温、高湿及加强的大气压力测试来评估IC产品对湿气的抵抗能力。其和THB测试之不同处为不加偏压,且用较高的温度(121°C)及较高的湿度(100%R.H.)。在线咨询>>>

JESD22-A102封装IC(芯片)无偏压高压蒸煮试验

8.2设备参数

JESD22-A102封装IC(芯片)无偏压高压蒸煮试验

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